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IGBT電鍍全鍍鎳2-6um


IGBT電鍍模塊工作原理
(1)方法
        IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個(gè)標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅動(dòng)器的原理圖。


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